なお、本開発成果の詳細は、SSDM※4 2019（9月2日～5日、於：名古屋大学）で9月4日に発表します。
開発の特長
1. 世界で初めて、マルチセル構造のGaN-HEMTを単結晶ダイヤモンド基板へ直接接合
世界で初めて、トランジスタを並列に8セル組み合わせたマルチセル構造のGaN-HEMT層を、産総研が開発したナノ表面改質層を介した常温接合法により、熱伝導率の高い単結晶ダイヤモンド（熱伝導率1900W/m・K）の放熱基板に直接接合
2. GaN-HEMTの出力密度・電力効率の向上により、省エネに貢献
単結晶ダイヤモンド基板により放熱性を高め、GaN-HEMTの上昇温度を211.1度から35.7度に低減※5し、トランジスタ当たりの出力は2.8W/mmから3.1W/mmへ約10%増加※5、電力効率は55.6%から65.2%に向上※5し、省エネに貢献
開発体制
三菱電機：ダイヤモンドを直接接合したGaN-HEMTの開発（設計、製造、評価、解析）
産総研：ダイヤモンドとGaNの接合プロセス開発
本成果の一部は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託業務の結果、得られたものです。
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2019/0902.html
概要：三菱電機株式会社
詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。
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